2021年卒住友化学の機電系のインターンエントリーシート詳細（大阪大学大学院/男性)（2020/03/25公開)

スマートフォンなど、私たちが生活に欠かすことの出来ない電子製品には様々な半導体デバイスや磁気記録デバイスが組み込まれています。それらのデバイスを作動させるキャリアとしては、電荷または磁石の性質が利用されています。現在の科学技術では、デバイスを作製する際、どちらか一方のキャリアしか利用されていません。これに対して、電荷と磁石の性質を同時に利用するようなスピントロニクスデバイスは、デバイスの高速化や省エネルギー化に繋がることから注目を集めています。スピントロニクスデバイスを実現するための材料としては、半導体材料に磁性金属を添加することで、磁石の性質を取り入れた希薄磁性半導体が挙げられます。一般的に本材料は室温より低い温度条件では安定ですが、室温条件になると磁石としての性質を失う問題点があるため、デバイスへの応用が進んでいません。この問題は格子欠陥が磁石の性質に影響を及ぼしていると考えられていますが、実験では格子欠陥を観察できていません。そこで、私は第一原理計算を用いたシミュレーションによって、本材料の格子欠陥による磁石の性質への影響を調べています。本材料における格子欠陥と磁石の性質の関係を解明することができれば、室温でも磁石の性質を失わせないための格子欠陥を提案することも可能になり、デバイスへの実用化も急速に進むことが期待されます。

論理が通っているかどうかを研究室の先輩に添削してもらった