ES
提出締切時期 | 2023年11月上旬 |
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研究テーマはSiC半導体における電流印加が転位挙動に及ぼす影響に関する研究です。SiCはパワー半導体の材料として使用されており、従来のパワー半導体よりも高い電流や電圧、動作温度に耐えられ、エネルギー産業や自動車産業での利用が期待されています。しかし、内部に存在する転位や積層欠陥がSiC半導体の電気抵抗の大幅な増加を招いており、半導体作成時の転位や積層欠陥が発生することを完全に抑制するのは難しいとされています。そこで、当研究室がすでに行っている金属の転位を電流印加することで移動させるという手法を半導体にも転用し、発生した転位や欠陥を電流印加することで除去するのが本研究の目的です。そのため、現在は電流が半導体の転位挙動に及ぼす影響を調査するため、走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して電流印加前後の観察や、透過型電子顕微鏡(TEM)を使用して、電流印加しながら観察をしています。
筆記・WEBテスト
テストの種類 | 受験場所 | 詳細 |
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SPI | テストセンター会場 | - |
面接
参加者 | 面接官:2名 学生:1名 |
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面接時間 | 30分 |
難易度 | 普通 |
雰囲気 | 普通 |
開催時期 | 2023年12月中旬 |
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開催期間 | 5日間 |
開催エリア | 長崎県 |
開催場所 | オフィス |
職種 | 技術職 |
プログラムの内容 | グループワークあり,プレゼンあり,フィードバックあり |
このインターンで学べた業務内容 | 基礎研究・応用研究・技術開発 |
インターンシップの内容
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